HAMAMATSU 滨松 G14858-0020AA InGaAs APD
InGaAs APD 可大大降低暗电流
这款 InGaAs APD(雪崩光电二极管)通过使用新的器件结构和改进处理,大大减少了现有产品的暗电流。G14858-0020AA 用于测距、微弱测光等。
特点
- 低暗电流
- 低电容
- 高灵敏度
像素数 | 1 |
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受光面 | φ0.2 mm |
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封装 | 金属 |
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封装类别 | TO-18 |
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灵敏度波长范围 | 950 至 1700 nm |
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最大灵敏度波长(典型值) | 1550 nm |
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感光灵敏度(典型值) | 0.8 A/W |
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暗电流(最大值) | 50 nA |
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截止频率(典型值) | 900 MHz |
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结电容(典型值) | 2 pF |
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击穿电压(典型值) | 65 V |
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击穿电压温度系数(典型值) | 0.1 V/°C |
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测量条件 | Ta = 25°C,感光灵敏度:λ = 1.55 μm,M = 1 |
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光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)

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