HAMAMATSU 滨松 S8890-30 硅 APD
长波长类型 APD
特点
-高灵敏度
-高增益
-低结电容
| 类型 | 近红外型 |
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| 受光面 | φ3 mm |
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| 封装 | 金属 |
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| 封装类别 | TO-8 |
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| 最大灵敏度波长（典型值） | 940 nm |
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| 灵敏度波长范围 | 400 至 1100 nm |
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| 感光灵敏度（典型值） | 70 A/W |
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| 暗电流（最大值） | 150 nA |
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| 截止频率（典型值） | 220 MHz |
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| 结电容（典型值） | 8 pF |
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| 击穿电压（典型值） | 500 V |
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| 击穿电压温度系数（典型值） | 3.5 V/°C |
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| 增益率（典型值） | 100 |
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| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，
感光灵敏度：λ = 940 nm，M = 100 |
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光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）
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