HAMAMATSU 滨松 S6045-04 硅 APD
适用于 800 nm 波段的低温度系数型 APD
特点
-低温度系数：0.4 V/°C
-高速响应
-高灵敏度、低噪声
| 类型 | 近红外型
（低温度系数） |
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| 受光面 | φ1.5 mm |
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| 封装 | 金属 |
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| 封装类别 | TO-5 |
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| 最大灵敏度波长（典型值） | 800 nm |
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| 灵敏度波长范围 | 400 至 1000 nm |
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| 感光灵敏度（典型值） | 0.5 A/W |
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| 暗电流（最大值） | 5 nA |
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| 截止频率（典型值） | 350 MHz |
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| 结电容（典型值） | 12 pF |
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| 击穿电压（典型值） | 200 V |
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| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.4 V/°C |
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| 增益率（典型值） | 100 |
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| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，
感光灵敏度：λ = 800 nm，M = 1 |
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光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）
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