HAMAMATSU 滨松 S11212-021 硅光电二极管阵列
适用于 X 射线非破坏性检测的背照式光电二极管阵列
S11212-021 是一款背照式 16 像元光电二极管阵列，专为无损 X 射线检查而设计。与前代产品（S5668 系列）相比，它具有更高的灵敏度均匀性和更小的光电二极管像元变化。背照式光电二极管阵列也易于处理，并且易于连接到闪烁体，而不必担心导线损坏，因为入射光侧没有焊线和受光面。S11212-021 可更换 S5668 系列，因为其封装尺寸和管脚分配相同。
特点
-光谱响应范围：340 至 1100 nm
-像元尺寸：1.175 (W) × 2.0 (H) mm/单像元
-像元间距：1.575mm（ × 16 像素）
-安装基板尺寸：25.4 (W) × 20.0 (H) mm
-通过多个阵列实现狭长形状
-支持双能量成像（用于上下两层组合时。）
| 像元尺寸（每个像元） | 1.175 × 2.0 mm |
|---|
| 像元数 | 16 |
|---|
| 封装 | 玻璃环氧树脂 |
|---|
| 封装类别 | 未密封 |
|---|
| 闪烁体类型 | 无 |
|---|
| 制冷 | 非冷却型 |
|---|
| 反向电压（最大值） | 10 V |
|---|
| 灵敏度波长范围 | 340 至 1100 nm |
|---|
| 最大灵敏度波长（典型值） | 920 nm |
|---|
| 感光灵敏度（典型值） | 0.61 A/W |
|---|
| 暗电流（最大值） | 30 pA |
|---|
| 上升时间（典型值） | 6.5 μs |
|---|
| 结电容（典型值） | 40 pF |
|---|
| 备注 | 本光电二极管阵列本身不用作 X 射线探测器。应在用户侧添加适当的闪烁体或磷光片。 |
|---|
| 测量条件 | Ta = 25°C，每个像元，感光灵敏度：λ = λp，暗电流：VR=10 mV，上升时间：VR = 0 V，结电容：VR = 0 V |
|---|
外形尺寸图（单位：mm）
微信/手机： 18938648240 QQ : 1605935956 电话 : 075583317774 Email : 1605935956@qq.com
