HAMAMATSU 滨松 S11142-10 硅光电二极管阵列
高灵敏度，直接检测低能量（1 keV 或以上）电子束特点-以高灵敏度直接检测低能量（1 keV 或以上）电子束-高增益：300 倍 高检测效率：72%（入射电子能：1.5 keV）-较大的受光面尺寸：14 × 14 mm-受光面中心的孔径为 φ2.0 mm-4 像元光电二极管-薄陶瓷封装-使用由较少磁性材料制成的配线板
| 受光面 | 14 x 14 mm |
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| 像元数 | 4 |
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| 封装 | 陶瓷 |
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| 入射电子能范围（典型值） | 1 至 30 keV |
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| 电子倍增系数（典型值） | 300 |
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| 反向电压（最大值） | 20 V |
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| 暗电流（最大值） | 60000 pA |
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| 截止频率（典型值） | 5 MHz |
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| 结电容（典型值） | 200 pF |
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| 测量条件 | Ta = 25°C，VR = 5V |
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外形尺寸图（单位：mm）
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